MOSFET IRF640SPBF N-kanálový 18 A 200 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 541-2464PZnačka: VishayČíslo dielu výrobcu: IRF640SPBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

18 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

200 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

180 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

130 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

70 nC při 10 V

Breite

9.65mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

MOSFET IRF640SPBF N-kanálový 18 A 200 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

MOSFET IRF640SPBF N-kanálový 18 A 200 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

18 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

200 V

Gehäusegröße

D2PAK (TO-263)

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

180 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

130 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

70 nC při 10 V

Breite

9.65mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

10.67mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

4.83mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more