Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
550 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
63 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.67mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 300 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 22,40
€ 2,24 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 22,40
€ 2,24 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 49 | € 2,24 |
| 50 - 99 | € 2,11 |
| 100 - 249 | € 1,98 |
| 250+ | € 1,60 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
550 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
63 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.67mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


