Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.41mm
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.01mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 500 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,06
Each (bez DPH)
1
€ 2,06
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 2,06 |
10 - 49 | € 1,78 |
50 - 99 | € 1,70 |
100 - 249 | € 1,60 |
250+ | € 1,48 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10.41mm
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.01mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku