MOSFET IRF840SPBF N-kanálový 8 A 500 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.41mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
63 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.83mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 500 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 84,60
€ 1,692 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
50
€ 84,60
€ 1,692 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 1,692 | € 8,46 |
| 125 - 245 | € 1,62 | € 8,10 |
| 250 - 495 | € 1,44 | € 7,20 |
| 500+ | € 1,352 | € 6,76 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.41mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
63 nC při 10 V
Breite
9.65mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
4.83mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 500 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products