Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
43 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,7 nC při 10 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.41mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
9.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 0,71
€ 0,71 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 0,71
€ 0,71 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 0,71 |
10 - 49 | € 0,62 |
50 - 99 | € 0,60 |
100 - 249 | € 0,56 |
250+ | € 0,54 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
43 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,7 nC při 10 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.41mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
9.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku