MOSFET IRF9520PBF P-kanálový 6.8 A 100 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
60 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10.41mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18 nC při 10 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 11,80
€ 1,18 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 11,80
€ 1,18 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,18 | € 11,80 |
| 50 - 90 | € 1,156 | € 11,56 |
| 100 - 240 | € 1,002 | € 10,02 |
| 250 - 490 | € 0,956 | € 9,56 |
| 500+ | € 0,779 | € 7,79 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
60 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10.41mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18 nC při 10 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products