MOSFET IRF9530SPBF P-kanálový 12 A 100 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
3.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38 nC při 10 V
Breite
9.02mm
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,95
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 1,95
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,95 | € 97,50 |
| 100 - 200 | € 1,66 | € 83,00 |
| 250+ | € 1,56 | € 78,00 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
12 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
3.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
38 nC při 10 V
Breite
9.02mm
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products