Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
500 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9.65mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44 nC při 10 V
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,63
Each (On a Reel of 800) (bez DPH)
800
€ 0,63
Each (On a Reel of 800) (bez DPH)
800
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
D2PAK (TO-263)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
500 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
9.65mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.67mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
44 nC při 10 V
Höhe
4.83mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku