Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
500 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
43 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.51mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 10 V
Breite
4.65mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
15.49mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,31
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 1,31
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,31 | € 65,50 |
100 - 200 | € 1,11 | € 55,50 |
250+ | € 0,98 | € 49,00 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
500 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
43 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.51mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 10 V
Breite
4.65mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
15.49mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku