Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10.51mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
4.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
15.49mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 44,75
€ 0,895 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
50
€ 44,75
€ 0,895 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 0,895 | € 8,95 |
| 100 - 240 | € 0,846 | € 8,46 |
| 250 - 490 | € 0,745 | € 7,45 |
| 500+ | € 0,647 | € 6,47 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
50 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Länge
10.51mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
17 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Breite
4.65mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
15.49mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


