Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
140 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
88 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.41mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34 nC při 10 V
Höhe
9.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 9,64
€ 1,928 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Štandardný
5
€ 9,64
€ 1,928 Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,928 | € 9,64 |
| 50 - 120 | € 1,736 | € 8,68 |
| 125 - 245 | € 1,544 | € 7,72 |
| 250 - 495 | € 1,448 | € 7,24 |
| 500+ | € 1,348 | € 6,74 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
18 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
140 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
88 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.41mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
34 nC při 10 V
Höhe
9.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


