Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
74 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.41mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Höhe
9.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 600 V až 1000 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,48
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 2,48
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 2,48 | € 124,00 |
100 - 200 | € 2,11 | € 105,50 |
250+ | € 1,99 | € 99,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
2,2 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
74 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
4.7mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.41mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
23 nC při 10 V
Höhe
9.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku