MOSFET IRFBE30PBF N-kanálový 4,1 A 800 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 178-0818Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: IRFBE30PBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4.1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

800 V

Gehäusegröße

TO-220, TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

125 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

4.7mm

Länge

10.41mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

78 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

9.01mm

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 600 V až 1000 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 73,80

€ 1,476 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

MOSFET IRFBE30PBF N-kanálový 4,1 A 800 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

€ 73,80

€ 1,476 Each (In a Tube of 50) (bez DPH)

MOSFET IRFBE30PBF N-kanálový 4,1 A 800 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

MnožstvoJednotková cenaTuba
50 - 50€ 1,476€ 73,80
100 - 200€ 1,284€ 64,21
250+€ 1,092€ 54,61

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

4.1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

800 V

Gehäusegröße

TO-220, TO-220AB

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

3 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

125 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Počet prvků na čip

1

Breite

4.7mm

Länge

10.41mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

78 nC při 10 V

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

9.01mm

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 600 V až 1000 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more