Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
540 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,3 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
5mm
Breite
6.29mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
3.37mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,52
Each (bez DPH)
1
€ 1,52
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 1,52 |
10 - 49 | € 1,23 |
50 - 99 | € 1,15 |
100 - 249 | € 1,07 |
250+ | € 1,01 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
540 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,3 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Länge
5mm
Breite
6.29mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
3.37mm
Podrobnosti o výrobku