MOSFET IRFD110PBF N-kanálový 1 A 100 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 919-4498Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: IRFD110PBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

HVMDIP

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

540 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

1.3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.29mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

8,3 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

3.37mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Philippines

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

€ 34,75

€ 0,348 Each (In a Tube of 100) (bez DPH)

MOSFET IRFD110PBF N-kanálový 1 A 100 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

€ 34,75

€ 0,348 Each (In a Tube of 100) (bez DPH)

MOSFET IRFD110PBF N-kanálový 1 A 100 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Skúste to znovu neskôr.

množstvoJednotková cenaTuba
100 - 100€ 0,348€ 34,75
200 - 400€ 0,327€ 32,66
500+€ 0,295€ 29,53

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

HVMDIP

Montage-Typ

Through Hole

Počet kolíků

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

540 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

1.3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Breite

6.29mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

8,3 nC při 10 V

Betriebstemperatur max.

175 °C

Höhe

3.37mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Philippines

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať