Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
600 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Breite
6.29mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,2 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
3.37mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,25
Each (bez DPH)
1
€ 0,25
Each (bez DPH)
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
600 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
5mm
Breite
6.29mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,2 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
3.37mm
Podrobnosti o výrobku