Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
490 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.29mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Höhe
3.37mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 300 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
490 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.29mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Höhe
3.37mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku