Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Konfigurace tranzistoru
Single
Breite
3.8mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.9mm
Höhe
3.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
100
P.O.A.
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
4
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Konfigurace tranzistoru
Single
Breite
3.8mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.9mm
Höhe
3.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku