MOSFET IRFD9010PBF P-kanálový 1,1 A 60 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 903-4702Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: IRFD9010PBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

HVMDIP

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

4

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

6.9mm

Počet prvků na čip

1

Breite

3.8mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

3.8mm

Krajina pôvodu

Philippines

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
60V 1.100A HEXDIP
P.O.A.Each (bez DPH)

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET IRFD9010PBF P-kanálový 1,1 A 60 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET IRFD9010PBF P-kanálový 1,1 A 60 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
60V 1.100A HEXDIP
P.O.A.Each (bez DPH)

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

60 V

Gehäusegröße

HVMDIP

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

4

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální pracovní teplota

175 °C

Länge

6.9mm

Počet prvků na čip

1

Breite

3.8mm

Materiál tranzistoru

Si

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

3.8mm

Krajina pôvodu

Philippines

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Mohlo by vás zaujímať
60V 1.100A HEXDIP
P.O.A.Each (bez DPH)