MOSFET IRFD9020PBF P-kanálový 1,6 A 60 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5mm
Länge
6.29mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
6.3V
Höhe
3.37mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 104,28
€ 1,043 Each (In a Tube of 100) (bez DPH)
100
€ 104,28
€ 1,043 Each (In a Tube of 100) (bez DPH)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 100 - 100 | € 1,043 | € 104,28 |
| 200 - 400 | € 1,022 | € 102,19 |
| 500+ | € 0,97 | € 96,98 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5mm
Länge
6.29mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
175 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
6.3V
Höhe
3.37mm
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products