MOSFET IRFD9020PBF P-kanálový 1,6 A 60 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.29mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
3.37mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
6.3V
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 14,04
€ 1,404 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 14,04
€ 1,404 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,404 | € 14,04 |
| 100 - 240 | € 1,376 | € 13,76 |
| 250 - 490 | € 1,194 | € 11,94 |
| 500 - 990 | € 1,138 | € 11,38 |
| 1000+ | € 0,925 | € 9,25 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.29mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Höhe
3.37mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
6.3V
Krajina pôvodu
Philippines
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products