MOSFET IRFI510GPBF N-kanálový 4,5 A 100 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
540 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
27 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.63mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,3 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.12mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,50
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 0,50
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 0,50 | € 25,00 |
| 500 - 1200 | € 0,47 | € 23,50 |
| 1250 - 2450 | € 0,42 | € 21,00 |
| 2500 - 4950 | € 0,40 | € 20,00 |
| 5000+ | € 0,37 | € 18,50 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
540 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
27 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.63mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,3 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
16.12mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products