MOSFET IRFI510GPBF N-kanálový 4,5 A 100 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
540 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
27 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.63mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,3 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
16.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 8,73
€ 0,873 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 8,73
€ 0,873 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,873 | € 8,73 |
| 100 - 490 | € 0,821 | € 8,21 |
| 500 - 990 | € 0,742 | € 7,42 |
| 1000 - 2490 | € 0,698 | € 6,98 |
| 2500+ | € 0,655 | € 6,55 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
540 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
27 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.63mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,3 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Höhe
16.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products