Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,57
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 1,57
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,57 | € 78,50 |
100 - 200 | € 1,49 | € 74,50 |
250+ | € 1,41 | € 70,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
16 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku