Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
550 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
66 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
9.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 300 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 25,70
€ 2,57 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
10
€ 25,70
€ 2,57 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Páska)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 49 | € 2,57 |
| 50 - 99 | € 2,42 |
| 100 - 249 | € 2,33 |
| 250+ | € 2,11 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
550 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
66 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
9.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


