MOSFET IRFI820GPBF N-kanálový 2,1 A 500 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.8mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 500 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 66,00
€ 1,32 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
50
€ 66,00
€ 1,32 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 1,32 | € 6,60 |
| 125 - 245 | € 1,264 | € 6,32 |
| 250 - 495 | € 1,128 | € 5,64 |
| 500+ | € 1,056 | € 5,28 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
30 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
24 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
9.8mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 500 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products