Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
67 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 500 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1,85
€ 1,85 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Výrobné balenie (Páska)
1
€ 1,85
€ 1,85 Each (Supplied as a Tape) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Páska)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
850 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
67 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
9.8mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


