Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
500 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
27 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.83mm
Länge
10.63mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
16.12mm
PRICED TO CLEAR
Yes
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
500 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
27 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Breite
4.83mm
Länge
10.63mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
16.12mm
PRICED TO CLEAR
Yes
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku