Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
37 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.63mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19 nC při 10 V
Höhe
16.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,15
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 2,15
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
50 - 50 | € 2,15 | € 107,50 |
100 - 200 | € 1,70 | € 85,00 |
250+ | € 1,51 | € 75,50 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
280 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
37 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
4.83mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
10.63mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
19 nC při 10 V
Höhe
16.12mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku