Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-247AC
Řada
D Series
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
278 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
15.87mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
85 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Breite
5.31mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.82mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, řada D s vysokým napětím, Vishay Semicondu
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 3,24
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
1
€ 3,24
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 3,24 |
10 - 49 | € 3,15 |
50 - 99 | € 3,04 |
100 - 249 | € 2,92 |
250+ | € 2,78 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
20 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Gehäusegröße
TO-247AC
Řada
D Series
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
250 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
278 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
15.87mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
85 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Breite
5.31mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.82mm
Podrobnosti o výrobku