Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
180 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.31mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.87mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
140 nC při 10 V
Höhe
20.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 600 V až 1000 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 40,30
€ 4,03 Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Výrobné balenie (Sáčok)
10
€ 40,30
€ 4,03 Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Sáčok)
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 10 - 49 | € 4,03 |
| 50 - 99 | € 3,82 |
| 100 - 249 | € 3,68 |
| 250+ | € 3,31 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247AC
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
180 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
5.31mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.87mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
140 nC při 10 V
Höhe
20.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


