MOSFET IRFR014PBF N-kanálový 7.7 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7,7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
200 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.73mm
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.38mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 60 až 90 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 1,51
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 1,51
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,51 | € 7,55 |
| 50 - 120 | € 1,43 | € 7,15 |
| 125 - 245 | € 1,06 | € 5,30 |
| 250 - 495 | € 0,98 | € 4,90 |
| 500+ | € 0,87 | € 4,35 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7,7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
200 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.73mm
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.38mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 60 až 90 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products