Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
200 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
2.38mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 60 až 90 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 80,50
€ 0,805 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 80,50
€ 0,805 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 100 - 240 | € 0,805 | € 8,05 |
| 250 - 490 | € 0,727 | € 7,27 |
| 500 - 990 | € 0,684 | € 6,84 |
| 1000+ | € 0,642 | € 6,42 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
7.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
200 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
11 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
2.38mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


