MOSFET IRFR210TRPBF N-kanálový 2,6 A 200 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.22mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,2 nC při 10 V
Höhe
2.38mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
2V
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,37
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 0,37
Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.22mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,2 nC při 10 V
Höhe
2.38mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
2V
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products