MOSFET IRFR310TRPBF N-kanálový 1,7 A 400 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
2.38mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 300 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 36,40
€ 0,728 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
€ 36,40
€ 0,728 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 50 - 120 | € 0,728 | € 3,64 |
| 125 - 245 | € 0,572 | € 2,86 |
| 250 - 495 | € 0,376 | € 1,88 |
| 500+ | € 0,352 | € 1,76 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.6 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
25 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.22mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
12 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
2.38mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 300 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products