MOSFET IRFR320TRPBF N-kanálový 3,1 A 400 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
42 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.22mm
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.38mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 300 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 7,09
€ 0,709 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 7,09
€ 0,709 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,709 | € 7,09 |
| 100 - 240 | € 0,666 | € 6,66 |
| 250 - 490 | € 0,638 | € 6,38 |
| 500 - 990 | € 0,567 | € 5,67 |
| 1000+ | € 0,531 | € 5,31 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
400 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.8 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
42 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Breite
6.22mm
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.38mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 300 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products