Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
42 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Breite
6.22mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
2.38mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 8,94
€ 0,894 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 8,94
€ 0,894 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
600 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
42 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
6.73mm
Breite
6.22mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
2.38mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku