MOSFET IRFR9220PBF P-kanálový 3.6 A 200 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Materiál tranzistoru
Si
Breite
6.22mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.39mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 2,19
Each (bez DPH)
1
€ 2,19
Each (bez DPH)
1
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 2,19 |
| 10 - 49 | € 1,86 |
| 50 - 99 | € 1,75 |
| 100 - 249 | € 1,65 |
| 250+ | € 1,54 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
200 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1,5 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.73mm
Materiál tranzistoru
Si
Breite
6.22mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
2.39mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 100 V až 400 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products