MOSFET IRFU1N60APBF N-kanálový 1,4 A 600 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 812-0660Značka: VishayČíslo dielu výrobcu: IRFU1N60APBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

7 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

36 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Breite

2.39mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

14 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

6.22mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 600 V až 1000 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 13,25

€ 1,325 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET IRFU1N60APBF N-kanálový 1,4 A 600 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 13,25

€ 1,325 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)

MOSFET IRFU1N60APBF N-kanálový 1,4 A 600 V, IPAK (TO-251), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.4 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

600 V

Gehäusegröße

IPAK (TO-251)

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

7 Ω

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

2V

Maximální ztrátový výkon

36 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-30 V, +30 V

Breite

2.39mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

6.73mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

14 nC při 10 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Höhe

6.22mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Krajina pôvodu

Malaysia

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 600 V až 1000 V, společnost Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more