Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
250 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
42 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 10 V
Breite
2.39mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
6.22mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 200 V až 250 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
250 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.1 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
42 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Länge
6.73mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 10 V
Breite
2.39mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
6.22mm
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku


