MOSFET IRL510PBF N-kanálový 5.6 A 100 V, TO-220AB, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
540 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.41mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,1 nC při 5 V
Höhe
9.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1,13
€ 1,13 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 1,13
€ 1,13 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 9 | € 1,13 |
10 - 49 | € 0,80 |
50 - 99 | € 0,76 |
100 - 249 | € 0,68 |
250+ | € 0,60 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5.6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-220, TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
540 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
3.7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Breite
4.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
10.41mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,1 nC při 5 V
Höhe
9.01mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku