Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
200 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,4 nC při 5 V
Breite
6.29mm
Höhe
3.37mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 60 až 90 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 0,94
€ 0,94 Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Výrobné balenie (Sáčok)
1
€ 0,94
€ 0,94 Each (Supplied in a Bag) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Sáčok)
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.7 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
200 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Maximální pracovní teplota
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,4 nC při 5 V
Breite
6.29mm
Höhe
3.37mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


