MOSFET IRLD110PBF N-kanálový 1 A 100 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 301-338PZnačka: VishayČíslo dielu výrobcu: IRLD110PBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

HVMDIP

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

540 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-10 V, +10 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

6,1 nC při 5 V

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Breite

6.29mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

3.37mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

MOSFET IRLD110PBF N-kanálový 1 A 100 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)

MOSFET IRLD110PBF N-kanálový 1 A 100 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

HVMDIP

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

540 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-10 V, +10 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

6,1 nC při 5 V

Počet prvků na čip

1

Länge

5mm

Betriebstemperatur max.

175 °C

Breite

6.29mm

Materiál tranzistoru

Si

Höhe

3.37mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more