Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
540 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,1 nC při 5 V
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
6.29mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
3.37mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
P.O.A.
Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
HVMDIP
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
4
Maximální odpor kolektor/zdroj
540 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1.3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,1 nC při 5 V
Počet prvků na čip
1
Länge
5mm
Betriebstemperatur max.
175 °C
Breite
6.29mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
3.37mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


