MOSFET IRLD120PBF N-kanálový 1.3 A 100 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 543-0484PZnačka: VishayČíslo dielu výrobcu: IRLD120PBF
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

HVMDIP

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

270 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-10 V, +10 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

12 nC při 5 V

Breite

6.29mm

Materiál tranzistoru

Si

Länge

5mm

Maximální pracovní teplota

175 °C

Počet prvků na čip

1

Höhe

3.37mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

MOSFET IRLD120PBF N-kanálový 1.3 A 100 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Sáčok)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

MOSFET IRLD120PBF N-kanálový 1.3 A 100 V, HVMDIP, počet kolíků: 4 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Sáčok)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 1.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 1.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

1

Dostupné v násobkoch 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

1.3 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

100 V

Gehäusegröße

HVMDIP

Montage-Typ

Through Hole

Pinanzahl

4

Maximální odpor kolektor/zdroj

270 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

1.3 W

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-10 V, +10 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

12 nC při 5 V

Breite

6.29mm

Materiál tranzistoru

Si

Länge

5mm

Maximální pracovní teplota

175 °C

Počet prvků na čip

1

Höhe

3.37mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more