Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.34 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
8 V
Gehäusegröße
SOT-523 (SC-89)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
120 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.35V
Maximální ztrátový výkon
236 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-5 V, +5 V
Breite
1.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,7 nC při 5 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 8 V až 25 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.34 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
8 V
Gehäusegröße
SOT-523 (SC-89)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
120 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.35V
Maximální ztrátový výkon
236 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-5 V, +5 V
Breite
1.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,7 nC při 5 V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Podrobnosti o výrobku