MOSFET SI1062X-T1-GE3 N-kanálový 530 mA 20 V, SOT-523 (SC-89), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
530 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-523 (SC-89)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
762 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
220 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,8 nC při 8 V
Breite
0.95mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 8 V až 25 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
530 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-523 (SC-89)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
762 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.4V
Maximální ztrátový výkon
220 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
1.7mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
1,8 nC při 8 V
Breite
0.95mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 8 V až 25 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products