MOSFET SI1077X-T1-GE3 P-kanálový 760 mA 30 V, SC-89-6, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 812-3050PZnačka: VishayČíslo dielu výrobcu: SI1077X-T1-GE3
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

760 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SC-89-6

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

244 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.7V

Maximální ztrátový výkon

236 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Materiál tranzistoru

Si

Breite

1.2mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Počet prvků na čip

1

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

4,43 nC při 4,5 V

Länge

1.7mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

0.6mm

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 54,60

€ 0,273 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI1077X-T1-GE3 P-kanálový 760 mA 30 V, SC-89-6, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

€ 54,60

€ 0,273 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET SI1077X-T1-GE3 P-kanálový 760 mA 30 V, SC-89-6, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

MnožstvoJednotková cenaCievka
200 - 980€ 0,273€ 5,46
1000 - 1980€ 0,246€ 4,93
2000 - 4980€ 0,232€ 4,64
5000+€ 0,218€ 4,37

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

Vishay

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

760 mA

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Gehäusegröße

SC-89-6

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

6

Maximální odpor kolektor/zdroj

244 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

0.7V

Maximální ztrátový výkon

236 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-12 V, +12 V

Materiál tranzistoru

Si

Breite

1.2mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Počet prvků na čip

1

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

4,43 nC při 4,5 V

Länge

1.7mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Höhe

0.6mm

Podrobnosti o výrobku

Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more