Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
760 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SC-89-6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
244 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Maximální ztrátový výkon
236 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Materiál tranzistoru
Si
Breite
1.2mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,43 nC při 4,5 V
Länge
1.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 30 až 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 54,60
€ 0,273 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
200
€ 54,60
€ 0,273 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
200
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 200 - 980 | € 0,273 | € 5,46 |
| 1000 - 1980 | € 0,246 | € 4,93 |
| 2000 - 4980 | € 0,232 | € 4,64 |
| 5000+ | € 0,218 | € 4,37 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
760 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SC-89-6
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
244 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.7V
Maximální ztrátový výkon
236 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Materiál tranzistoru
Si
Breite
1.2mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,43 nC při 4,5 V
Länge
1.7mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.6mm
Podrobnosti o výrobku


