Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
600 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
480 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
280 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,86 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Breite
1.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,11
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
€ 0,11
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
600 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
480 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
280 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,86 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Breite
1.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku