MOSFET SI1302DL-T1-E3 N-kanálový 600 mA 30 V, SOT-323, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
600 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
480 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
280 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,86 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Breite
1.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,36
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
€ 0,36
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
10
Kúpiť hromadne
| množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 0,36 | € 3,60 |
| 100 - 490 | € 0,27 | € 2,70 |
| 500 - 990 | € 0,25 | € 2,50 |
| 1000 - 2490 | € 0,19 | € 1,90 |
| 2500+ | € 0,17 | € 1,70 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
600 mA
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-323
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
480 m Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
280 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
0,86 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Materiál tranzistoru
Si
Breite
1.35mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products