MOSFET SI1317DL-T1-GE3 P-kanálový 1,1 A 20 V, SOT-323 (SC-70), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
270 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.45V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,3 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-50 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
VishayTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-323 (SC-70)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
270 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.45V
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
2.2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4,3 nC při 4,5 V
Breite
1.35mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-50 °C
Höhe
1mm
Podrobnosti o výrobku
Tranzistor MOSFET, 8 až 20 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products